top of page
แตงโม
หน้าหลัก: รูปภาพ

บทที่1

1.1 ที่มาและความสำคัญ

         

          บาดแผล เป็นการบาดเจ็บทุกชนิดที่ก่อให้เกิดความเสียหายต่อผิวหนัง หรือเยื่อบุอื่นๆของร่างกาย ซึ่งบาดแผลนั้นเกิดจากหลายสาเหตุ และมีรูปแบบที่แตกต่างกันออกไป

          บาดแผลสามารถเกิดได้จากการเกิดอุบัติเหตุหรือการบาดเจ็บต่างๆ แต่ละรูปแบบนั้นก็แล้วแต่ประเภท เช่น บาดแผลที่เกิดจากมีดบาดก็จะทำเกิดบาดแผลแบบตัดจะเป็นแผลที่มีเลือดออกมาก แต่มีโอกาสติดเชื้อได้น้อย บาดแผลที่เกิดจากการหกล้มทำให้เกิดแผลถลอกเป็นแผลที่มีเลือดออกค่อนข้างน้อยแต่มีโอกาสติดเชื้อสูง เพราะสัมผัสกับสิ่งอื่นโดยตรง. การที่เรามีบาดแผลนั้น เราจึงต้องรักษาและป้องกันไม่ให้เกิดการติดเชื้อ วิธีการรักษาของบาดแผลแต่ละประเภทนั้นก็แตกต่างกันออกไป ซึ่งวัสดุที่นำมาใช้การปิดแผลก็มีลักษณะที่แตกต่างกันออกไปหลายรูปแบบ และมีคุณลักษณะที่แตกต่างกัน ตัวอย่างเช่น วัสดุผิดแผลจะต้องสามารถแลกเปลี่ยนแก๊สได้เนื่องจาก การที่แผลโดยก๊าสออกซิเจนจะทำให้แผลกายไวยิ่งขึ้น วัสดุจะต้องกันน้ำ แผลที่ใกล้หายต้องห้ามเปียกน้ำจึงต้องใช้วัสดุปิดแผลที่สามารถกันน้ำได้แต่ก็ยังคงสามารถแลกเปลี่ยนแก๊สได้อยู่. บริเวณผิวหนังของคนเรามีเชื้อแบคทีเรียที่ชื่อว่า สตาฟีโรค็อคคัส ออเรียส (Staphylococcus aureus) อยู่กระจายทั่วบริเวณผิวหนัง เชื้อแบคทีเรียตัวนี้ไม่เป็นอันตราย แต่ถ้าหากบริเวณผิวหนังมีบาดแผลเกิดขึ้นแบคทีเรียตัวนี้ จะก่อให้เกิดอาการติดเชื้อได้ โดยเฉพาะในแผลผ่าตัด อีกทั้งแบคทีเรียตัวนี้เจริญเติบโตได้ดีในอุณหภูมิราวๆ 27-35 องศาเซลเซียส

          แผ่นฟิล์มปิดแผลชนิด semi-permeable เป็นแผ่นฟิล์มโปร่งใส ก๊าสสามารถแลกเปลี่ยนได้ และไอน้ำสามารถระเหยออกมาภายนอกได้ ซึ่งเหมาะสมกับแผลถลอกหรือแผลที่หายใหม่ ซึ่งบริเวณแผ่นซึมซับจะเป็นบริเวณที่สัมผัสกับแผลโดยตรง ทำให้เกิดการสะสมของเชื้อแบคทีเรียตามมาด้วย ผู้จัดทำจึงมีความประสงค์ที่จะผสมอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ที่สังเคราะห์มาจากเปลือกของแตงโมเข้าไปในแผ่นซึมซับเพื่อเป็นการลดการสะสมของเชื้อแบคทีเรียสตาฟีโรค็อคคัส  (Staphylococcus)  บริเวณบาดแผล (เพิ่มเติม)




1.2 วัตถุประสงค์


1.2.1.เพื่อศึกษาและสังเคราะห์อนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์จากเปลือกแตงโม     

1.2.2.เพื่อทดสอบประสิทธิภาพของอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ที่สังเคราะห์จากเปลือกแตงโม

1.2.3.เพื่อนำซิงค์ออกไซด์ที่สังเคราะห์ได้ มาทำเป็นแผ่นซึมซับของวัสดุปิดแผลชนิดฟิล์ม


1.3 ขอบเขตการศึกษา

         

          การศึกษาอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ที่สังเคราะห์จากเปลือกแตงโม เพื่อฆ่าแบคทีเรีย Staphylococcus aureus และนำอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ที่สังเคราะห์ได้มาใส่ในแผ่นซึมซับของวัสดุปิดแผลชนิดฟิล์ม


1.4 สมมุติฐาน


1.4.1.สามารถศึกษาและสังเคราะห์ซิงค์ออกไซด์จากเปลือกแตงโมได้

1.4.2.สามารถทดสอบประสิทธิภาพของซิงค์ออกไซด์ที่สังเคราะห์จากเปลือกแตงโมได้

1.4.3.สามารถนำซิงค์ออกไซด์ที่สังเคราะห์ได้ มาทำเป็นแผ่นซึมซับของวัสดุปิดแผลชนิดฟิล์ม


1.5 ตัวแปรที่ศึกษา


ตัวแปรต้น ความเข้มข้นของซิงค์ไนเตรตที่หยด

ตัวแปรตาม ปริมาณซิงค์ออกไซด์ที่ได้จากการผสมผงเปลือกโมเข้ากับซิงค์ไนเตรต

ตัวแปรควบคุม ปริมาณผงเปลือกแตงโม ปริมาณหยดของซิงค์ไนเตรต


1.6 นิยามเชิงปฎิบัติการ


ประสิทธิภาพ คือ อนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ที่สังเคราะห์จากเปลือกแตงโมสามารถยับยั้งแบคทีเรียStaphylococcus aureus ได้

Read More
หน้าหลัก: ข้อความ

บทที่2

เอกสารและทฤษฎีที่เกี่ยวข้อง


  2.1 ซิงค์ออกไซด์ (ZnO) 

           ซิงค์ออกไซด์จัดได้ว่าเป็นสารประกอบที่สามารถพบเห็นได้ในธรรมชาติและมีความสำคัญในลักษณะที่เป็นวัสดุกึ่งตัวนำชนิดที่อนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์เป็นวัสดุที่มีการสังเคราะห์และใช้มากขึ้นเรื่อย ๆ ในอนาคตซึ่งมักจะมีการใช้มากในตัวเปลี่ยนสัญญาณทางอิเล็กทรอนิกส์ (Piezoelectric transducer) ตัวแคตาลิตส์ (catalyst) ตัววัดสัญญาณปริมาณแก็ส (gas sensor) ประดิษฐ์เป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และใช้ในอุตสาหกรรมเซรามิคซึ่งจะถูกใช้ในการเตรียมสารเคลือบมีโครงสร้างเป็นแบบ Wurtzite hexagonal มีค่าคงที่ของแลตทิช (lattice Constant)

2.1.1 การนำไปใช้ประโยชน์

          ซิงค์ออกไซด์เป็นวัสดุในกลุ่มโลหะออกไซด์ที่มีการนำมาใช้งานในรูปแบบของวัสดุนาโน ตัวอย่างการใช้นาโนซิงค์ออกไซด์ ได้แก่ การใช้งานในกลุ่มของอิเล็กทรอนิกส์หรืออุปกรณ์ตรวจจับก๊าซ ใช้สำหรับการยับยั้งเชื้อแบคทีเรียในทางทันตกรรม ใช้ในการบำบัดสิ่งแวดล้อมเนื่องจากมีสมบัติที่ดีในด้านการดูดซับแสง และสมบัติด้านการเร่งปฏิกิริยาด้วยแสง นอกจากนี้ยังใช้ในผลิตภัณฑ์ที่ใช้กับคนโดยตรงคือเครื่องสำอางโดยเฉพาะอย่างยิ่งโลชั่นกันแดดที่เริ่มนิยมนำซิงค์ออกไซด์ขนาดนาโนมาใช้เป็นองค์ประกอบ เนื่องจากมีระดับความสามารถในการป้องกันรังสียูวีได้ในระดับเดียวกับอนุภาคซิงค์ออกไซด์ขนาดใหญ่กว่านาโน แต่ข้อได้เปรียบที่เห็นได้ชัดของโลชั่นกันแดดที่มีอนุภาคนาโนเป็นองค์ประกอบคือการส่งผ่านแสงได้ดีกว่า ทำให้ไม่ทิ้งร่องรอยให้เห็นเป็นสีขาวอย่างชัดเจนบนผิวเมื่อเทียบกับโลชั่นกันแดดที่ใช้อนุภาคขนาดใหญ่ จากเหตุที่ซิงค์ออกไซด์ได้รับความสนใจในการใช้ประโยชน์มากขึ้น ทำให้เกิดการผลิตในภาคอุตสาหกรรมมากขึ้นตามไปด้วย ซึ่งผลที่ตามมาคือการศึกษาด้านความเป็นพิษของนาโนซิงค์ ออกไซด์ ในแง่มุมต่างๆ ไม่ว่าจะเป็นด้านสิ่งแวดล้อมหรือด้านความเป็นพิษต่อเซลล์ของสิ่งมีชีวิต

           ตัวอย่างการศึกษาด้านความเป็นพิษของนาโนซิงค์ออกไซด์ต่อแบคทีเรียแกรมลบโดยใช้ E.coli เป็นตัวแทน ต่อแบคทีเรียแกรมบวกโดยใช้ S.aureus เป็นตัวแทน และต่อเซลล์ที่ทำหน้าที่เป็นภูมิคุ้มกันของมนุษย์ในระดับเบื้องต้น (T cell) ผลการศึกษาโดยใช้นาโนซิงค์ออกไซด์ขนาดประมาณ 13 นาโนเมตร แสดงให้เห็นว่า นาโนซิงค์ ออกไซด์สามารถยับยั้งการเจริญเติบโตของ E.coli ได้ที่ระดับความเข้มข้น ≥ 3.4 มิลลิโมล ในขณะที่การเจริญเติบโตของ S.aureus ถูกยับยั้งได้อย่างสมบูรณ์ที่ระดับความเข้มข้น ≥ 1 มิลลิโมล และโดยการใช้นาโนซิงค์ออกไซด์แบบเดียวกัน พบว่านาโนซิงค์ออกไซด์มีผลต่อ T cell ของมนุษย์เพียงเล็กน้อยที่ระดับความเข้มข้นเดียวกับที่เป็นพิษต่อแบคทีเรียแกรมบวกและแกรมลบ โดยรวมแล้วผลการทดลองแสดงให้เห็นถึงความเป็นพิษที่แตกต่างกันระหว่างระบบของแบคทีเรียและ T cell ของมนุษย์

           ส่วนการศึกษาถึงระดับความเป็นพิษที่แตกต่างกันระหว่าง ZnO, CuO และ TiO2 ต่อแบคทีเรียและสัตว์น้ำที่มีเปลือกแข็ง เช่น กุ้ง หรือปู เนื่องจากสิ่งมีชีวิตทั้ง 2 ชนิด อยู่ในห่วงโซ่อาหารในระบบนิเวศน์จึงใช้สิ่งมีชีวิตเหล่านี้เป็นตัวแทนสำหรับการศึกษา ซึ่งผลจากการศึกษา พบว่าความเป็นพิษของโลหะออกไซด์ (ทั้งในระดับนาโนและขนาดใหญ่) ต่อแบคทีเรีย V.fisheri และต่อกุ้งจัดลำดับได้ดังต่อไปนี้ TiO2 < CuO < ZnO นอกจากนี้ผลการศึกษายังแสดงให้เห็นอีกว่า อนุภาคโลหะออกไซด์ไม่จำเป็นต้องเข้าไปในเซลล์จึงจะเป็นสาเหตุของความเป็นพิษ แต่การสัมผัสกันระหว่างเซลล์กับอนุภาคนาโนก็ทำให้เกิดความเสียหายต่อเยื่อหุ้มเซลล์ได้

            สำหรับการศึกษาถึงผลของอนุภาคนาโนต่อเซลล์ผิวหนังของคน (human skin fibroblast) พบว่า เซลล์ผิวหนังของคนมีความว่องไวต่อทั้งอนุภาคนาโนของไทเทเนียมไดออกไซด์และซิงค์ออกไซด์ โดยนาโนซิงค์ออกไซด์มีความเป็นพิษสูงกว่านาโนไทเทเนียมไดออกไซด์

          จากข้อมูลแสดงในข้างต้นจะเห็นได้ว่าอนุภาคนาโนมีผลต่อเซลของสิ่งมีชีวิตทั้งขนาดเล็กและขนาดใหญ่  ดังนั้นในการเลือกใช้ผลิตภัณฑ์นาโนจึงควรพิจารณาถึงผลกระทบระยะยาวต่อสิ่งต่างๆทั้งที่ตัวผู้ใช้เองและสิ่งแวดล้อม

2.1.2 ลักษณะและคุณสมบัติ

       ซิงค์ออกไซด์ (ZnO) จัดอยู่ในสารเคมีประเภททั่วไป เป็นสารประกอบที่เป็นผลึกไม่มีสีมีลักษณะเป็นผงอนุภาคละเอียดสีขาว ไม่ละลายในน้ำ มีความหนาแน่น 5.7 กรัม/ตารางเซนติเมตร และเมื่อนำซิงค์ออกไซด์ไปอบจะกลายเป็นสีเหลืองแต่ไม่สามารถละลายได้ จะละลายได้ก็ต่อเมื่อ ผ่านอุณหภูมิที่สูงกว่า1,800°C  ซิงค์ออกไซด์เป็นสารแอมโฟเทอริกที่ละลายในกรด อาทิ เกลือ ซิงค์อัลคาไลน์ และสารละลายในน้ำอย่างแอมโมเนีย เป็นต้น

       มีคุณสมบัติเป็นสารที่ใช้ยับยั้งแบคทีเรีย (Anti-Bacteria ) ไม่มีความเป็นพิษต่อร่างกาย นอกจากฆ่าแบคทีเรียแล้วยังช่วยป้องกันและยับยั้งการแบ่งเซลล์ของแบคทีเรีย ด้วยเหตุผลนี้ซิงค์ออกไซด์จึงเป็นหนึ่งในสารที่สำคัญในการเป็นยาต้านแบคทีเรีย และยังสามารถป้องกันรังสี UV-A และ UV-B ระงับกลิ่นอันไม่พึงประสงค์ ช่วยลดการระคายเคือง มีฤทธิ์ฆ่าเชื้อแบบอ่อนๆ ช่วยลดผดผื่น จึงเหมาะที่จะใช้เป็นสารกันแดดสำหรับผิวแพ้ง่าย

    2.1.3 ลักษณะสมบัติเฉพาะ

1) การมีค่าดรรชนีหักเหสูง (high refractive index) การทนความร้อนและอุณหภูมิได้ดี โดยซิงค์ ออกไซด์มีค่าดรรชนีหักเหประมาณ 1.95-2.10 ทำให้วัสดุที่เคลือบด้วยซิงค์ออกไซด์ เกิดการสะท้อนแสงได้ดี และวัสดุที่ถูกเคลือบจะมีความสว่างสูงและมีความเสถียรทางอุณหภูมิแม้ว่า อุณหภูมิสูงถึง 1800 องศาเซลเซียส ทำให้มีสมบัติในการป็นตัวกลางไฟฟ้าได้ดี รวมทั้งทนความร้อนได้ดี และสามารถนำไปใช้ได้ในหลายอุตสาหกรรม(Moezzi et al., 2012)                                                                                                                               2) ลักษณะสมบัติทางแสง จากการที่ซิงค์ออกไซด์เป็นสารกึ่งตัวนำที่มีค่าช่องว่างของแถบพลังงาน band gap เป็น 3.37eV ซึ่งใกล้เคียงกับค่าช่องว่างของแถบพลังงาน 3.39 eV ของแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) แต่เนื่องจากซิงค์ออกไซด์มีราคาถูกกว่ามากโดยปัจจุบันนิยมนำมาใช้แทนวัสดุ GaN สำหรับการนำไปใช้เป็นเครื่องมืออิเลคโทรนิคส์ ที่ทำงานในช่วงของแสงอัลตราไวโอเล็ตได้ดี เช่น LEDs, laser diodes หรือ photodetectors เป็นต้น (Moezzi et al., 2012)

 3) คุณสมบัติการเป็นผลึกเดี่ยวของซิงค์ออกไซด์ โดยมีลักษณะเป็นสารกึ่งตัวนำแบบ n-type ซึ่งในปัจจุบันได้มีความพยายามในงานวิจัยที่จะพัฒนาผลึกเดี่ยวของซิงค์ออกไซด์ให้เป็นแบบ p-type โดยงานวิจัยบางงานได้รายงานถึงการสังเคราะห์ p-type polycrystalline film (Mao et al., 2008, Dai et al., 2008, Kawasaki et al., 2008) โดยผลึกเดี่ยวของซิงค์ออกไซด์สามารถขยายให้มีขนาดใหญ่ขึ้นได้โดยการเปลี่ยนอุณหภูมิ และความดัน (Ellmer et al., 2008, Jacobs et al., 2010, Janotti and Walle , 2009) 4) คุณสมบัติการนำไฟฟ้า ซิงค์ออกไซด์มีลักษณะสมบัติที่สามารถถูกเหนี่ยวนำให้มีลักษณะเป็น ferromagnetic ได้ดีโดยการเจือด้วยธาตุที่มีสมบัติเป็นแม่เหล็ก เช่น เหล็ก โคบอลต์ นิเกิล เป็นต้น หรือ เจือด้วยธาตุที่ไม่มีสมบัติเป็นแม่เหล็ก เช่น ไททาเนียม วานาเดียม เป็นต้น ซึ่งสามารถนำมาใช้งานในเครื่องมืออิเลคโทรนิคส์ได้หลายชนิด นอกจากนี้การเจือด้วยธาตุต่างๆ ยังทำให้ซิงค์ออกไซด์มีคุณสมบัติการนำไฟฟ้าที่ดีขึ้นได้ เช่น การเจอด้วยลิเธียม จะส่งผลให้ซิงค์ออกด์มีค่าต้านทานสูง (> 10¬¬-12 โอห์มเซนติเมตร) การเจือด้วยอินเดียม (In) ทำให้ซิงค์ออกไซด์สามารถนำพาอิเลคตรอนได้ดี โดยมี carrier concentration ได้มากถึง 1020 เซนติเมตร-3 (Ellmer et al., 2008, Oh et al., 2006) จากลักษณะสมบัติเหล่านี้ทำให้ซิงค์ออกไซด์นำไปใช้กันอย่างแพร่หลายในเครื่องมืออิเลคโทรนิคส์ 5) การเป็นสารเร่งปฏิกิริยา (photocatalyst) เป็นลักษณะเฉพาะของซิงค์ออกไซด์ในการเป็นตัวเร่งปฏิกิริยาแบบใช้แสง ซึ่งทำให้ปฏิกิริยาทางเคมีเกิดขึ้นได้อย่างรวดเร็วในเวลาอันสั้น ซึ่งมาจากคุณสมบัติของการสารเป็นสารกึ่งตัวนำ (semiconductor) ของ ซิงค์ออกไซด์ (Moezzi et al., 2012)

2.1.4 การสังเคราะห์ซิงค์ออกไซด์

         ซิงค์ออกไซด์มีโครงสร้างในระดับนาโนที่หลากหลาย ได้แก่ แผงเส้นลวดนาโนที่มีความเป็นระเบียบ (highly ordered arrays) โครงสร้างเหมือนกับหอคอย (tower-like structure) แท่งนาโน (nanorods) สปริง นาโน (nanosprings) หวีนาโน (nanocombs) และ วงแหวนนาโน (nanorings) โครงสร้างเหล่านี้สามารถ เลือกและควบคุมได้ด้วยการสังเคราะห์ โดยในที่นี้จะกล่าว ถึงวิธีการสังเคราะห์ 3 วิธี ได้แก่                                       1.การสังเคราะห์ด้วยกระบวนการไฮโดรเทอร์มอล สามารถใช้สังเคราะห์ซิงค์ออกไซด์ได้หลากหลายโครงสร้าง ทำได้ที่อุณหภูมิต่ำ และไม่ต้องการระบบที่ยุ่งยากซับซ้อน เมษายน - มิถุนายน 2556 15 จึงเป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม นักวิจัยหลายกลุ่มใช้วิธีนี้ใน การสังเคราะห์ซิงค์ออกไซด์ โดยในปี 1990 คณะของ Andres Verges เป็นกลุ่มแรกๆ ที่ได้รายงานการ สังเคราะห์ซิงค์ออกไซด์ อีกสิบปีต่อมา Vayssieres และคณะ ปลูกแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์บนกระจกตัวนำ และซิลิคอนเวเฟอร์ อธิบายถึงขั้นตอนการปลูกที่ประกอบด้วย 2 ขั้นตอนย่อยๆ คือ การเพาะชั้นอนุภาค (ZnO seeding) และการปลูกซิงค์ออกไซด์แท่งนาโน (Growth of ZnO nanorods)  โดยใช้สารละลาย ของซิงค์ไนเตรต (Zn(NO3 ) 2 ) และเฮกซะเมทิลลีนเตตระมีน ((CH2)6 N4 ) hexamethylene teramine, HMT) เป็นสารตั้งต้น การฟอร์มตัวของแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์เกิดจาก ปฏิกิริยาเคมีดังต่อไปนี้                                  (CH2 ) 6 N4 + 6H2 O ↔ 6HCHO + 4NH3 (1)                                                                            NH3 + H2 O ↔ NH4 + + OH-                (2)                                                                                       2OH- + Zn2+ ↔ ZnO(s) + H2 O            (3)                                                                                     โดยเกลือซิงค์ไนเตรตจะทำหน้าที่เป็นแหล่งจ่ายซิงค์ ไอออน (Zn2+) ส่วน HMT เป็นสารที่จะค่อยๆ แตกตัว ให้ไฮดรอกซิลไอออน (OH- ) ที่อุณหภูมิสูงขึ้นและเกิด การฟอร์มตัวของซิงค์ไฮดรอกไซด์ก่อน และเปลี่ยนเป็น ซิงค์ออกไซด์ในที่สุด (ภาพที่ 2) ภาพที่ 3 ภาพจำลองการทำงานของเฮกซะมีน (hexamine: HMT) ที่เข้าไปเกาะผิวที่ไม่มีขั้วของแท่งซิงค์ออกไซด์ [4] ภาพที่ 2 แท่งซิงค์ออกไซด์นาโนที่ปลูกบนกระจกสไลด์ด้วยวิธีไฮโดรเทอร์มอล            

หน้าหลัก: ข้อความ
บีเลิฟ.jpg
หน้าหลัก: รูปภาพ

ภาพที่ 1 แท่งซิงค์ออกไซด์นาโนที่ปลูกบนกระจกสไลด์ด้วยวิธีไฮโดรเทอร์มอล

   ต่อมา Sugunan และคณะอธิบายถึงความสำคัญ ของการใช้ HMT ในการสังเคราะห์เพื่อให้ได้โครงสร้าง เป็นแท่งนาโนที่มีหน้าตัดเป็นรูปหกเหลี่ยม เนื่องจาก HMT เป็นสารคีเลตแบบไม่มีขั้ว เมื่ออยู่ในระบบจะเข้าไปเกาะ บนผิวด้านข้างของซิงค์ออกไซด์แท่งนาโน และเปิดผิว ด้านบนที่มีขั้วต่อสิ่งแวดล้อมภายนอก ทำให้เกิดการตก เคลือบบนผลึกด้านที่มีขั้วนี้เป็นชั้นๆ ไปเรื่อยๆ ตามแนว แกน c ดังแสดงในภาพ

หน้าหลัก: ข้อความ
%E0%B8%9A%E0%B8%B52_edited.jpg
หน้าหลัก: รูปภาพ

ภาพที่ 2 ภาพจำลองการทำงานของเฮกซะมีน (hexamine: HMT) ที่เข้าไปเกาะผิวที่ไม่มีขั้วของแท่งซิงค์ออกไซด์อีกทั้งการเติม HMT ยังเป็นการเคลือบผิวข้างที่ไม่มีขั้วเพื่อป้องกันการขยาย ขนาดของแท่งออกในแนวกว้างอีกด้วย กลุ่มวิจัยของ Baruah นำเสนอการสังเคราะห์ ซิงค์ออกไซด์ที่มีโครงสร้างหลากหลายด้วยวิธีไฮโดรเทอร์มอล โดยมีการปรับเปลี่ยนสภาวะในการสังเคราะห์ เช่น ค่าพีเอชของสารละลาย อุณหภูมิ และเวลา (ภาพที่ 4)  จะเห็นว่าการสังเคราะห์ด้วยวิธีนี้เรียบง่าย ต้นทุนต่ำ และไม่ต้องการระบบที่ซับซ้อน

หน้าหลัก: ข้อความ
bottom of page